Накануне американское Министерство торговли объявило о введении новых ограничений в области полупроводникового производства Китая. Санкции теперь распространяются не только на логические микросхемы, но и на чипы памяти. Разрешение на поставки оборудования для выпуска чипов теперь должны получать не только китайские, но и зарубежные предприятия, расположенные на территории КНР. Кроме того, ужесточается политика по поставке в Китай чипов, которые могут использоваться в военных целях.
Американские санкции затронули логические компоненты, произведённые по нормам 16, 14 нм и более прогрессивные решения (включая технологии FinFET и GAAFET), чипы DRAM от 18 нм и менее, а также 128-слойные и более прогрессивные чипы NAND, отмечает аналитическая компания TrendForce.
Новый пакет санкций затронет расположенные в Китае американские предприятия, работающие с технологиями от 16 нм и ниже, ряд китайских компаний, включая HuaHong Group, а также другие расположенные в КНР иностранные компании — все они перед поставками производственного оборудования должны будут получать разрешение Министерства торговли США. Поэтому большинство китайских производств и фабрика TSMC в Нанкине будут расширять производство по технологиям 28 нм и более. Китай же оказывается фактически отрезан от внешней поддержки по решениям более прогрессивным, чем 16 нм.
Новые ограничительные меры расширят действие ранее введённых санкций, из-за которых американские компании NVIDIA и AMD лишились возможности поставлять в КНР ускорители, необходимые для работы систем искусственного интеллекта — теперь ограничения касаются и центральных процессоров. При этом подсанкционную продукцию, вероятно, уже нельзя будет производить на территории Китая. Сейчас большинство компонентов, относящихся к сегменту высокопроизводительных вычислений, выпускает TSMC — при этом используются технологии 5, 7 и в отдельных случаях 12 нм. Это окажет негативное влияние на будущие контракты TSMC, уверены аналитики TrendForce.
В соответствии с обновлёнными нормами проверке подлежит оборудование, позволяющее производить чипы DRAM по технологиям до 18 нм включительно. Это значительно ограничит развитие сектора DRAM в стране, в первую очередь ударив по компании CXMT, которая возглавляет в Китае данный сегмент. Во II квартале она собиралась перейти от технологии 19 нм к 17 нм, и значительная часть оборудования была закуплена ещё до введения санкций, однако его объём недостаточен; под угрозой также совместный проект компании со SMIC. Санкции затронут завод C2, который корейская SK hynix возвела в городе Уси — на предприятие приходится примерно 13 % всех производственных мощностей DRAM, и каждый этап его модернизации теперь должен визироваться Вашингтоном. При этом три ведущих мировых производителя чипов DRAM планируют наращивать производственные мощности в своих странах в ближайшее десятилетие и уменьшать присутствие в Китае.
Американские санкции также коснулись оборудования, используемого для производства памяти NAND на чипах до 128 слоёв включительно. Это, уверены аналитики TrendForce, повлияет на долгосрочные планы китайской YMTC по модернизации своих производств, а также на развитие размещённых в стране заводов Samsung и Solidigm. YMTC при этом не сможет расширять клиентскую базу — зарубежным клиентам будет труднее рассматривать её как поставщика.
